Samsung เริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ eUFS 3.1 ขนาด 512GB สำหรับสมาร์ทโฟนเรือธง
Samsung ประกาศเป็นรายแรกในการผลิตชิปหน่วยความจำ eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) ขนาด 512GB เพื่อเตรียมนำไปใช้กับสมาร์ทโฟนเรือธงในอนาคต โดยมีความเร็วในการเขียนข้อมูลเพิ่มขึ้น 3 เท่า เมื่อเทียบกับ eUFS 3.0 ชิปหน่วยความจำ 512GB eUFS ...
