ในปี 2012 Samsung Galaxy S III เวอร์ชั่นทำตลาดในญี่ปุ่น ได้สร้างความประหลาดใจด้วย RAM 2 GB ขณะที่เวอร์ชั่นทำตลาดในสหรัฐฯ มากับ RAM 1 GB ถัดจากนั้น 4 ปี Samsung ได้พาเรามาสู่ยุค RAM 6 GB แล้ว
ในงาน Samsung Mobile Solutions Forum ซึ่งจัดขึ้นที่เมืองเซินเจิ้น ประเทศจีน Samsung ได้เปิดตัวชิปความจำ LPDDR4 6GB DRAM ซึ่งผลิตด้วยเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร ทำให้ชิปมีประสิทธิภาพมากขึ้น และช่วยยืดอายุการใช้งานของแบตเตอรี่ในโทรศัพท์มือถือที่ใช้ชิปความจำรุ่นใหม่นี้ด้วย
คาดว่า Samsung Galaxy Note 6 จะเป็นสมาร์ทโฟนรุ่นแรกที่ได้ใช้ชิปความจำรุ่นใหม่นี้ โดยมีข่าวลือว่าจะมากับจอแสดงผล Super AMOLED ความละเอียด 1440 x 2560 พิกเซล ขนาด 5.8 นิ้ว พร้อมแบตเตอรี่ความจุ 4,000 mAh และหวังว่าจะฝังหน่วยความจำ RAM 6 GB มาให้ด้วย
ที่มา – phonearena
